特許
J-GLOBAL ID：201003024503854662
不揮発性メモリ装置及びその動作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人中川国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-018053
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182402
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】不揮発性メモリ装置のプログラム時間のうち、検証動作に必要とされる時間を最小化させることができる 不揮発性メモリ装置及びその動作方法を提供する。【解決手段】単一ページに含まれたプログラム対象セルのうち、基準電圧以上にプログラムされたセルが発生する場合1ビットパス信号を出力するページバッファ部と、プログラムパルスの印加回数をカウンティングするカウンタと、第1ページに対するプログラム動作のうち、前記1ビットパス信号伝達の時まで印加されたプログラムパルスの個数を格納するプログラムパルスの印加回数格納部と、前記プログラムパルスの印加回数を基礎にして第2ページに対するプログラム開始電圧を設定するプログラム開始電圧設定部と、を含む。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
単一ページに含まれたプログラム対象セルのうち、基準電圧以上にプログラムされたセルが発生する場合1ビットパス信号を出力するページバッファ部と、
プログラムパルスの印加回数をカウンティングするカウンタと、
第1ページに対するプログラム動作のうち、前記1ビットパス信号の伝達の時まで印加されたプログラムパルスの個数を格納するプログラムパルスの印加回数格納部と、
前記プログラムパルスの印加回数を基礎にして第2ページに対するプログラム開始電圧を設定するプログラム開始電圧設定部と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 601B
5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125DB02
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125DB14
, 5B125DB17
, 5B125DB18
, 5B125DB19
, 5B125DB20
, 5B125DC03
, 5B125DD05
, 5B125DD08
, 5B125DE13
, 5B125EE04
, 5B125EE12
, 5B125EE15
, 5B125EE19
, 5B125EH04
, 5B125FA01
