特許
J-GLOBAL ID：201003024540743790

SiC薄膜形成装置

発明者：
関 章憲

関 章憲 について

, 
谷 由加里

谷 由加里 について

, 
柴田 典義

柴田 典義 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について

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財団法人ファインセラミックスセンター

財団法人ファインセラミックスセンター について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270084
公開番号（公開出願番号）：特開2010-095431
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】同一のSiC薄膜形成プロセスの進行中に、基板の前処理段階(昇温過程および高温過程)および基板上への薄膜の成長段階において、あるいは更に降温段階において、供給する炭化水素ガス種を瞬時に切り替えて、各段階に最適な種類の炭化水素ガスを供給できるCVDによるSiC薄膜形成装置を提供する。【解決手段】SiC単結晶の薄膜を成長させる基板14を保持するサセプタ12を内蔵したCVD反応容器10、および該CVD反応容器にそれぞれ接続されたSi原料ガスの供給器26および炭化水素ガスの供給器28を備えたSiC薄膜形成装置において、上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源C1、C2、C3に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiC単結晶の薄膜を成長させる基板を保持するサセプタを内蔵したCVD反応容器、および該CVD反応容器にそれぞれ接続されたSi原料ガスの供給器および炭化水素ガスの供給器を備えたSiC薄膜形成装置において、 上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源に接続されていることを特徴とするSiC薄膜形成装置。
IPC (5件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077DB11 ,  4G077EA02 ,  4G077EG22 ,  4G077TA08 ,  4G077TH06 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA03 ,  4K030KA39 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD16 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK02 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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