特許
J-GLOBAL ID:201003025126604733

多接合型薄膜光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-254124
公開番号(公開出願番号):特開2010-087205
出願日: 2008年09月30日
公開日(公表日): 2010年04月15日
要約:
【課題】シリコン系およびCIS系薄膜光電変換ユニットを直列接続することにより短絡電流値を高い値でバランスさせ、高い開放電圧を有する、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供する。【解決手段】多接合型薄膜光電変換装置は、シリコン系薄膜光電変換ユニット3、5及びCIS系薄膜光電変換ユニット7を備え、中間層4、6を介してこれらを直列接続している。シリコン系薄膜光電変換装置では光電変換が難しい1100nm以上の近赤外光の光電変換が可能であり、太陽光スペクトルを幅広く利用することが可能である点から、より高効率な多接合型薄膜光電変換装置を提供することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコン系及びCIS系薄膜光電変換ユニットを備え、シリコン系光電変換ユニットとCIS系薄膜光電変換ユニットが中間層を介して直列接続されていることを特徴とする多接合型薄膜光電変換装置。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 W
Fターム (28件):
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA10 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA10 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151DA16 ,  5F151DA18 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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