特許

J-GLOBAL ID：201003025176317107

CMP研磨剤、このCMP研磨剤を用いた研磨方法

発明者： 星 陽介 ,  龍崎 大介 ,  小山 直之 ,  野部 茂 ,  榎本 和宏 ,  佐藤 英一 ,  太田 宗宏
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-064699
公開番号（公開出願番号）：特開2010-028086
出願日： 2009年03月17日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

【課題】シャロートレンチ分離絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するCMP技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨できるCMP研磨剤、このCMP研磨剤を用いて被研磨膜を研磨する研磨方法を提供する。【解決手段】水、酸化セリウム粒子及び添加剤を含有するCMP研磨剤であって、前記添加剤のうち少なくとも1成分がカチオン性単量体成分を含む原料組成物を重合して得られる重合体であり、前記酸化セリウム粒子は、CMP研磨剤中で正のゼータ電位を有するCMP研磨剤、及び該CMP研磨剤を用いた研磨方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

水、酸化セリウム粒子及び添加剤を含有するCMP研磨剤であって、 前記添加剤のうち少なくとも1成分がカチオン性単量体成分を含む原料組成物を重合して得られる重合体であり、 前記酸化セリウム粒子は、CMP研磨剤中で正のゼータ電位を有することを特徴とするCMP研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17