特許

J-GLOBAL ID：201003026014663237

タンデム太陽電池及びその生産方法

発明者： 山本▲あき▼勇 ,  橋本 明弘
出願人/特許権者： 国立大学法人福井大学
代理人 (1件)： 高島 敏郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-136219
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283208
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】 効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si3接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。【解決手段】 InGaP/(In)GaAs/Si3接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

InGaP/(In)GaAs/Si3接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池において、 (In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されていることを特徴とするタンデム太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/042

FI (1件)：

H01L31/04 R

Fターム (12件)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA18 ,  5F051DA19 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB21 ,  5F151CB30 ,  5F151DA18 ,  5F151DA19