特許
J-GLOBAL ID:201003026243749129

水素ガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 橋本 薫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-202701
公開番号(公開出願番号):特開2010-038745
出願日: 2008年08月06日
公開日(公表日): 2010年02月18日
要約:
【課題】パージ操作をすることなく、良好な水素ガス選択性を備えながらも、比較的安価に構成することのできる水素ガスセンサを提供する。【解決手段】層内にカーボンが分散されたカーボン含有固体高分子電解質層3と、層内にカーボンを含まない固体高分子電解質層2の二層構造に形成された基材Bと、前記基材Bの一側面であって前記固体高分子電解質層2側に形成された触媒層4とからなる検出部Dを備え、触媒層4側に通気性を有する電極5aが配置されている水素ガスセンサ。【選択図】図1
請求項(抜粋):
層内にカーボンが分散されたカーボン含有固体高分子電解質層と、層内にカーボンを含まない固体高分子電解質層の二層構造に形成された基材と、前記基材の何れか一側面に形成された触媒層とからなる検出部を備えていることを特徴とする水素ガスセンサ。
IPC (2件):
G01N 27/406 ,  G01N 27/416
FI (2件):
G01N27/58 Z ,  G01N27/46 371G
Fターム (1件):
2G004ZA01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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