特許

J-GLOBAL ID：201003026262994525

半導体装置

発明者： 杉山 隆英
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-285299
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114248
出願日： 2008年11月06日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】 半導体基板内にIGBTとダイオードの双方が設けられている半導体装置において、IGBTの耐圧を確保しながらダイオードの順方向電圧を低下させる。【解決手段】 半導体装置101内には、IGBT16とダイオード2が設けられている。第1導電型の第1ベース領域14が、IGBT領域26aとダイオード領域26bの双方に亘って伸びている。第1ベース領域14に表面に、第2導電型の第2ベース領域6が形成されている。第2ベース領域6は、IGBT領域26aとダイオード領域26bの双方に設けられている。第1ベース領域14は、IGBT領域26aで厚く、ダイオード領域26bで薄く形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内にIGBTとダイオードの双方が設けられている半導体装置であって、 IGBT領域とダイオード領域の双方に亘って伸びている第1導電型の第1ベース領域と、 IGBT領域とダイオード領域の双方に設けられているとともに、第1ベース領域の表面に接する第2導電型の第2ベース領域とを備え、 第1ベース領域は、IGBT領域で厚く、ダイオード領域で薄く形成されている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (7件)：

H01L29/78 652G ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/58 G

Fターム (4件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-285863   出願人：三菱電機株式会社