半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-176495
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056539
出願日： 2009年07月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に半導体層と、前記半導体層上にn型の導電型を有するバッファ層と、前記バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含む薄膜トランジスタを有し、前記半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、前記バッファ層は、金属酸化物層であり、前記半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは前記バッファ層を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/58 G , H01L21/28 301R

Fターム (109件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 4M104HH16 , 5F110AA02 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK28 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (1件)

ZnO半導体薄膜及びZnO薄膜トランジスタの製造方法、並びにその方法を適用したZnO薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-097075 出願人：三星電子株式会社

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