特許

J-GLOBAL ID：201003026931466726

多接合太陽電池

発明者： フィオレンザ、ジェイムズ ,  ロチテフェルド、アンソニー・ジェイ
出願人/特許権者： アンバーウェーブ・システムズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 田澤 英昭 ,  濱田 初音
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-524067
公開番号（公開出願番号）：特表2010-538495
出願日： 2008年06月26日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】 太陽光を電力に変換する多接合太陽電池を提供する。【解決手段】 上部表面と底部表面を有する半導体基板、前記基板の上部表面に近接して配置され、上部開口を定める上部絶縁層、前記基板の底部表面に近接して配置され、底部開口を定める底部絶縁層、前記上部開口内に配置され、前記半導体基板に格子不整合し、前記基板に最も近い第1結晶質層の表面で生じた格子不整合欠陥の大部分は、前記上部開口内で終了する第1結晶質層、及び前記上部開口内に配置され、前記半導体基板に格子不整合し、前記基板に最も近い第2結晶質層の表面で生じた格子不整合欠陥の大部分は、前記底部開口内で終了する第2結晶質層を含む構造。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

上部表面と底部表面を有する半導体基板、 前記基板の上部表面に近接して配置され、上部開口を定める上部絶縁層、 前記基板の底部表面に近接して配置され、底部開口を定める底部絶縁層、 前記上部開口内に配置され、前記半導体基板に格子不整合し、前記基板に最も近い第1結晶質層の表面で生じた格子不整合欠陥の大部分は、前記上部開口内で終了する第1結晶質層、及び 前記上部開口内に配置され、前記半導体基板に格子不整合し、前記基板に最も近い第2結晶質層の表面で生じた格子不整合欠陥の大部分は、前記底部開口内で終了する第2結晶質層を含む構造。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 Y ,  H01L31/04 V

Fターム (11件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA08 ,  5F151CB09 ,  5F151CB12 ,  5F151CB22 ,  5F151CB24 ,  5F151DA16 ,  5F151DA18 ,  5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-315419