特許

J-GLOBAL ID：201003026937874265

磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置

発明者： 橋本 篤志 ,  佐々木 有三 ,  黒川 剛平
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-021943
公開番号（公開出願番号）：特開2010-176782
出願日： 2009年02月02日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層11と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層を2層以上の磁性層12〜14から構成し、各磁性層12〜14を構成する結晶粒子が配向制御層11を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶S1〜S3を形成するように各層を結晶成長させる際に、基板を冷却しながら又は基板を冷却した直後に、配向制御層11の積層を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、 前記垂直磁性層を2層以上の磁性層から構成し、各磁性層を構成する結晶粒子が前記配向制御層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を形成するように各層を結晶成長させる際に、 前記基板を冷却しながら又は前記基板を冷却した直後に、前記配向制御層の積層を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

IPC (3件)：

G11B 5/851 ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/65

FI (3件)：

G11B5/851 ,  G11B5/667 ,  G11B5/65

Fターム (9件)：

5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D112AA04 ,  5D112AA17 ,  5D112AA24 ,  5D112FA04 ,  5D112FB19 ,  5D112GB01