特許
J-GLOBAL ID：201003027227473071
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-025689
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182912
出願日： 2009年02月06日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】 耐圧が高いトレンチ構造を有する半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 トレンチ内の下部に絶縁層が形成されており、絶縁層の上部のトレンチ内に電極が形成されており、電極と接する範囲のトレンチの壁面に絶縁膜が形成されている構造を有する半導体装置の製造方法であって、トレンチを形成する工程と、トレンチ内の下部に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上部のトレンチの壁面にマスク層を形成する工程であって、一方の壁面に形成されるマスク層と他方の壁面に形成されるマスク層の間の隙間の底部に絶縁層が露出するようにマスク層を形成する工程と、前記隙間の底部から、絶縁層を等方性エッチングすることによって、絶縁層の上面を凹状の曲面形状に形成する工程と、マスク層を除去する工程と、トレンチの壁面に絶縁膜を形成する工程と、トレンチ内に電極を形成する工程を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トレンチ内の下部に絶縁層が形成されており、絶縁層の上部のトレンチ内に電極が形成されており、電極と接する範囲のトレンチの壁面に絶縁膜が形成されている構造を有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板の表面にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
トレンチ内に酸化シリコンを充填して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
トレンチ内の絶縁層に、トレンチに沿って伸び、トレンチより幅が狭く、トレンチより浅い溝を形成する溝形成工程と、
前記溝の内面から絶縁層を等方性エッチングすることによって、前記溝の側方の絶縁層を除去するとともに、トレンチ内の下部に絶縁層を残存させる絶縁層エッチング工程と、
トレンチの壁面を酸化させてその壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
絶縁層の上部のトレンチ内に導体を充填して電極を形成する電極形成工程、
を有している半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/423
, H01L 29/49
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652K
, H01L29/58 G
4M104BB01
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104FF01
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
