特許
J-GLOBAL ID:201003027743759798

複合透明導電体およびその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-504302
公開番号(公開出願番号):特表2010-525526
出願日: 2008年04月18日
公開日(公表日): 2010年07月22日
要約:
金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブに基づく一次導電性媒体と、異なる種類のナノ構造または連続導電性薄膜に基づく二次導電性媒体とを備える複合透明導電体が記載される。また、複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、連続導電性薄膜である二次導電性媒体とを備える機器が記載される。さらに、第1の電極と、第1の電極および第2の電極の間の垂直距離がセルギャップを規定する第2の電極とを備え、第1の電極は一次導電性媒体および二次導電性媒体を含む複合透明導電体であり、一次導電性媒体はセルギャップと類似のメッシュサイズを有する金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを含み、二次導電性媒体はセルギャップの約1/5から1/100までのメッシュサイズを有する連続導電性薄膜またはナノ構造の導電性網である、液晶ディスプレイセルが記載される。
請求項(抜粋):
複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、 該一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、第2の種類のナノ構造または連続導電性薄膜を含む、二次導電性媒体と を備える、複合透明導電体。
IPC (4件):
H01B 5/14 ,  B32B 15/02 ,  B32B 15/08 ,  G02F 1/134
FI (4件):
H01B5/14 A ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 D ,  G02F1/1343
Fターム (37件):
2H092GA11 ,  2H092GA62 ,  2H092HA04 ,  2H092JB11 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB11 ,  2H092PA09 ,  4F100AA17B ,  4F100AA33B ,  4F100AB01A ,  4F100AB24A ,  4F100AB25A ,  4F100AD11B ,  4F100AG00 ,  4F100AK01B ,  4F100AK80B ,  4F100AS00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100DG06A ,  4F100DG07B ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01A ,  4F100JG01B ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FB03 ,  5G307FB04 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許:
審査官引用 (1件)

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