特許
J-GLOBAL ID:201003028192476362
蓄電デバイス用複合電極、その製造方法及び蓄電デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
的場 基憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-275610
公開番号(公開出願番号):特開2010-103051
出願日: 2008年10月27日
公開日(公表日): 2010年05月06日
要約:
【課題】高い容量と優れた応答性を発現し得る蓄電デバイス用複合電極、その製造方法、及び蓄電デバイス用複合電極を用いた蓄電デバイスを提供すること。【解決手段】蓄電デバイス用複合電極は、基材と、該基材上に形成された、金属及び/又は金属化合物から成るウィスカー又はファイバーと、該ウィスカー又はファイバーの表面の少なくとも一部に形成された、活物質を含む被覆層とを備えている。該ウィスカー又はファイバーは、該活物質よりも高い導電性を有している。 蓄電デバイス用複合電極の製造方法は、ウィスカー又はファイバーの構成金属を含む基材原料又はその前駆体を、酸化雰囲気中で加熱処理して、基材上に該ウィスカー又は該ファイバーを形成する工程(1)及び工程(1)の後に実施され、上記ウィスカー又はファイバーの表面の少なくとも一部に活物質を含む被覆層を形成する工程(2)を含む。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材と、
上記基材上に形成された、金属及び/又は金属化合物から成るウィスカー又はファイバーと、
上記ウィスカー又はファイバーの表面の少なくとも一部に形成された、活物質を含む被覆層と、
を備えており、
上記ウィスカー又はファイバーが、上記活物質よりも高い導電性を有している、ことを特徴とする蓄電デバイス用複合電極。
IPC (10件):
H01M 4/13
, H01M 4/48
, H01M 4/50
, H01M 4/52
, H01M 4/139
, H01M 4/70
, H01M 4/66
, H01M 10/056
, H01G 9/058
, H01G 9/016
FI (12件):
H01M4/02 101
, H01M4/48 101
, H01M4/50 101
, H01M4/52 101
, H01M4/02 108
, H01M4/70 A
, H01M4/66 A
, H01M10/00 111
, H01M10/00 107
, H01M10/00 110
, H01G9/00 301A
, H01G9/00 301F
Fターム (55件):
5E078AA01
, 5E078AB01
, 5E078AB04
, 5E078BA06
, 5E078BA27
, 5E078BA33
, 5E078FA03
, 5E078FA05
, 5E078FA12
, 5E078FA23
, 5H017AA03
, 5H017AA04
, 5H017AS10
, 5H017BB01
, 5H017BB17
, 5H017CC03
, 5H017CC18
, 5H017DD01
, 5H017EE00
, 5H017EE01
, 5H017EE08
, 5H029AJ02
, 5H029AJ03
, 5H029AJ06
, 5H029AK02
, 5H029AL12
, 5H029AM03
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029CJ02
, 5H029CJ28
, 5H029DJ14
, 5H029DJ15
, 5H029DJ17
, 5H029EJ01
, 5H029EJ08
, 5H050AA02
, 5H050AA08
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050BA18
, 5H050CA02
, 5H050CB12
, 5H050DA02
, 5H050DA04
, 5H050DA09
, 5H050EA12
, 5H050FA02
, 5H050FA16
, 5H050FA18
, 5H050GA02
, 5H050GA22
, 5H050GA24
, 5H050GA27
, 5H050HA17
引用特許: