特許

J-GLOBAL ID：201003028512946281

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡田 喜久雄 ,  亀山 工次郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007070399
公開番号（公開出願番号）：WO2008-044801
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

本発明は、半導体装置及びその製造方法にかかるものである。従来技術に係る半導体装置では、耐圧を上げるとチップサイズが大きくなっていた。 本発明に係る半導体装置では、コレクタ領域(2)とベース領域(3)とによるpn接合部(5)の端が、トレンチからなるメサ溝(6)により形成される。このため、耐圧を上げるべく、メサ溝6を深く形成しても、チップサイズは大きくならない。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 該半導体基板上に設けられ、第1の側面および該第1の側面より内側の第2の側面を有する第1導電型半導体層と、 該第1導電型半導体層上に設けられ、第3の側面を有する第2導電型半導体層と、を具備し、 前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層により形成されるpn接合部を含む動作領域は、前記第2の側面および前記第3の側面を一つの端面とし、該端面は前記pn接合部に対して実質的に垂直な面となることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/76

FI (7件)：

H01L29/72 P ,  H01L29/06 301R ,  H01L29/91 D ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V ,  H01L21/76 L

Fターム (28件)：

5F003AP01 ,  5F003AP06 ,  5F003BA11 ,  5F003BA27 ,  5F003BA29 ,  5F003BA92 ,  5F003BA93 ,  5F003BB01 ,  5F003BC08 ,  5F003BG01 ,  5F003BG03 ,  5F003BG10 ,  5F003BH18 ,  5F003BP93 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA66 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24