特許

J-GLOBAL ID：201003029193672358

半導体発光素子デバイス

発明者： 岩尾 克 ,  馬屋原 芳夫
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-062086
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219166
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】ボンディングワイヤを用いて実装された半導体発光素子デバイスであって、光束値の低下の少ない半導体発光素子デバイスを提供する。【解決手段】半導体発光素子と、半導体発光素子とリード電極とを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体発光素子の上方に設置され、かつ半導体発光素子が発する光の一部の波長を変換する波長変換部材とを具備する半導体発光素子デバイスであって、波長変換部材には開口部および/または切り欠け部が形成されており、かつボンディングワイヤの少なくとも一部が、当該開口部および/または切り欠け部を貫通していることを特徴とする半導体発光素子デバイス。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子と、半導体発光素子とリード電極とを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体発光素子の上方に設置され、かつ半導体発光素子が発する光の一部の波長を変換する波長変換部材とを具備する半導体発光素子デバイスであって、 波長変換部材には開口部および/または切り欠け部が形成されており、かつボンディングワイヤの少なくとも一部が、当該開口部および/または切り欠け部を貫通していることを特徴とする半導体発光素子デバイス。

IPC (1件)：

H01L 33/50

FI (1件)：

H01L33/00 410

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA12 ,  5F041DA07 ,  5F041DA16 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA36 ,  5F041DA75 ,  5F041DA76 ,  5F041DA81 ,  5F041EE25