特許

J-GLOBAL ID：201003030245690978

III族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びIII族窒化物半導体素子を作製する方法

発明者： 京野 孝史 ,  善積 祐介 ,  塩谷 陽平 ,  秋田 勝史 ,  上野 昌紀 ,  住友 隆道 ,  中村 孝夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-058057
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212493
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体光素子11aは、III族窒化物半導体支持体13、GaN系半導体領域15、活性層17及びGaN系半導体領域19を備える。III族窒化物半導体支持体13の主面13aは、基準軸Cxに直交する基準平面Scに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸CxはIII族窒化物半導体のc軸方向に延びる。GaN系半導体領域15は半極性主面上13aに設けられる。GaN系半導体領域15のGaN系半導体層21は例えばn型GaN系半導体からなり、n型GaN系半導体にはシリコンが添加されている。GaN系半導体層23の酸素濃度が5×1016cm-3以上であるとき、GaN系半導体層23の主面上に引き続き成長される活性層17の結晶品質が良好になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する基準平面に対して有限の角度をなす主面を有するIII族窒化物半導体支持体と、 5×1016cm-3以上5×1018cm-3以下の酸素濃度を有しており、前記III族窒化物半導体支持体の前記主面上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域と を備え、 前記主面は半極性及び無極性のいずれか一方を示し、 前記窒化ガリウム系半導体領域は、第1導電型窒化ガリウム系半導体層を含む、ことを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045AF16 ,  5F045AF17 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ36 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AR84