特許

J-GLOBAL ID：201003030471683380

圧電素子

発明者： 名取 栄治 ,  木島 健 ,  古山 晃一 ,  田崎 雄三
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052840
公開番号（公開出願番号）：特開2010-195679
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む、セラミックス。

IPC (14件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/49

FI (15件)：

C04B35/00 J ,  C23C14/08 K ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 A ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/06 102 ,  C04B35/46 C ,  C04B35/49 A

Fターム (105件)：

4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA37 ,  4G030AA38 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA08 ,  4G030GA04 ,  4G030GA10 ,  4G030GA20 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA16 ,  4G031AA18 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA27 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031AA31 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA02 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA06 ,  4G031GA17 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA09 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD60 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-228895   出願人：沖電気工業株式会社, 逢坂哲彌, 東京応化工業株式会社
• 強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231353   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 新規強誘電体薄膜の低温成長と表面モフォロジー