特許

J-GLOBAL ID：201003030500012032

高純度シリコン金属のリサイクル方法

発明者： バッケ、ペル ,  ギバラ、ロベルト ,  スヴァレストゥエン、ヨリルド・マルグレーテ ,  オル、グレーテ・ヴィッダル
出願人/特許権者： ノルスク・ヒドロ・アーエスアー
代理人 (6件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  飯野 智史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-506105
公開番号（公開出願番号）：特表2010-526013
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

太陽電池ウエハ又は半導体装置の製造から生じる鋸屑又は切屑のような高純度シリコンの残余物又は他の残留Siを再利用する方法が、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じる乾燥切屑、削屑及び/又は他の残留Siを、四塩化ケイ素、すなわちSiCl4を生成する直接塩素化反応器1において金属級シリコンと共に、供給原料として使用することを特徴とする。未反応の切屑又は反応しないまま反応ゾーンから流出する他の小さい粒子を、それらのサイズにかかわらず、さらなる塩素化のために繰り返し反応器に戻す。本方法に含まれる装置は、反応器1の他に、Si材料/切屑を混合及び貯蔵する貯蔵及び混合装置2と、反応器の反応ゾーンから流出すると共に、戻り給送手段9によって反応器の反応ゾーンに戻されるSi含有粒子を分離及び回収する回収装置3と、反応器の反応ゾーン及び回収装置から流出する最小サイズの粒子を、液体SiCl4とのスラリーの形態で集める凝縮ユニット10と、ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じるさらなる切屑、削屑及び他の残留Siを、冷却及び温度制御のために後で反応器の反応ゾーンに直接加えられる既存のSiCl4/Siスラリーに加えてこれと混合する混合ユニット13とを備えることができる。

請求項（抜粋）：

太陽電池ウエハ又は半導体装置の製造から生じる鋸屑又は切屑のような高純度シリコンの残余物又は他の残留Siを再利用する方法であって、 ウエハ製造プロセス又は半導体装置の製造プロセスから生じるSiC粒子、Fe及び/若しくは他の金属不純物が混入している可能性がある乾燥切屑、削屑並びに/又は他の残留Siを、直接塩素化反応器(1)において金属級シリコンと共に供給原料として用いて、四塩化ケイ素(SiCl4)を生成させ、未反応の切屑又は反応しないまま反応ゾーンから流出する他の小さい粒子を、それらのサイズにかかわらず捕捉し、さらなる塩素化のために前記反応器に繰り返し戻すことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C01B 33/037 ,  C01B 33/107

FI (2件)：

C01B33/037 ,  C01B33/107

Fターム (12件)：

4G072AA01 ,  4G072AA12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH08 ,  4G072HH40 ,  4G072JJ06 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM03 ,  4G072MM08 ,  4G072RR04 ,  4G072UU02