特許

J-GLOBAL ID：201003030664080667

半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置

発明者： 横沢 雄二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-079137
公開番号（公開出願番号）：特開2010-228981
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。【解決手段】光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Feに対するTiの原子数比が0.05〜0.1のTiを含有し、かつFeに対するTaまたはWの原子数比が0.001〜0.005のTaまたはWを含有するFe2O3であることを特徴とする半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Feに対するTiの原子数比が0.05〜0.1のTiを含有し、かつFeに対するTaまたはWの原子数比が0.001〜0.005のTaまたはWを含有するFe2O3であることを特徴とする、半導体酸化物膜。

IPC (6件)：

C01G 49/06 ,  C01B 3/04 ,  B01J 23/847 ,  B01J 23/85 ,  B01J 35/02 ,  C23C 14/34

FI (6件)：

C01G49/06 A ,  C01B3/04 A ,  B01J23/84 301M ,  B01J23/85 M ,  B01J35/02 J ,  C23C14/34 N

Fターム (40件)：

4G002AA03 ,  4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48A ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169FA01 ,  4G169FB02 ,  4G169FB30 ,  4G169HA01 ,  4G169HB06 ,  4G169HD05 ,  4G169HD13 ,  4G169HE09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01