EUVリソグラフィ用反射型マスクの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺望稔 , 三和晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208494
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045211
出願日： 2008年08月13日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】レジストパターンの寸法制御性に優れたEUVL用マスクの製造方法の提供。【解決手段】基板上に、EUV光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にEUV光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクを製造する工程と、前記EUVL用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンのスペース幅(或いは線幅)を測定する工程と、レジストパターンのスペース幅(或いは線幅)の測定値と、設計値と、を比較する工程と、前記レジストパターンのスペース幅(或いは線幅)の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記EUVL用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有することを特徴とするEUVL用反射型マスクの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、EUV光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にEUV光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクを製造する工程と、前記マスクパターンの開口部の幅を測定する工程と、前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記EUVL用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有することを特徴とするEUVL用反射型マスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M , G03F1/16 A

Fターム (6件)：

2H095BD03 , 2H095BD40 , 5F046GD10 , 5F046GD11 , 5F046GD12 , 5F046GD20

引用特許：

出願人引用 (6件)

反射型レチクル及び反射型レチクルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-020026 出願人：株式会社ニコン
マスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-213775 出願人：エルピーダメモリ株式会社, 広島日本電気株式会社
特開平1-120556

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審査官引用 (5件)

マスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-213775 出願人：エルピーダメモリ株式会社, 広島日本電気株式会社
特開平1-120556
ガラス基板表面の平滑化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-119043 出願人：旭硝子株式会社

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