特許
J-GLOBAL ID:201003031050961132
ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
宮▲崎▼ 主税
, 目次 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-068446
公開番号(公開出願番号):特開2010-225651
出願日: 2009年03月19日
公開日(公表日): 2010年10月07日
要約:
【課題】半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープであって、離型層を中間層の粘着部から無理なく剥離でき、従って剥離の際の作業性を高めることができるダイシングテープを提供する。【解決手段】中間層4と、中間層4の一方の面4a側に配置された離型層2と、中間層4の他方の面4bに積層されたダイシング層5とを備え、中間層4が、中間層4の少なくとも一部の領域に粘着性を有する粘着部4Bを有し、離型層2と中間層4の粘着部4Bとが貼り付けられており、離型層2と中間層4の粘着部4Bとの23°Cでの剥離力が12N/m以下であり、かつダイシング層5の23°Cでの剛性率が17.5N/25mm以上であるダイシングテープ1。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるタイシングテープであって、
中間層と、
前記中間層の一方の面側に配置された離型層と、
前記中間層の他方の面に積層されたダイシング層とを備え、
前記中間層が、前記中間層の少なくとも一部の領域に粘着性を有する粘着部を有し、前記離型層と前記中間層の前記粘着部とが貼り付けられており、
前記離型層と、前記中間層の前記粘着部との23°Cでの剥離力が12N/m以下であり、かつ前記ダイシング層の23°Cでの剛性率が17.5N/25mm以上である、ダイシングテープ。
IPC (4件):
H01L 21/301
, C09J 7/02
, C09J 133/08
, B32B 27/00
FI (5件):
H01L21/78 M
, H01L21/78 Q
, C09J7/02 Z
, C09J133/08
, B32B27/00 L
Fターム (50件):
4F100AR00A
, 4F100AR00C
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100CB05B
, 4F100CB05D
, 4F100DC21B
, 4F100GB41
, 4F100JK01
, 4F100JK06
, 4F100JL14A
, 4F100YY00
, 4J004AB01
, 4J004AB05
, 4J004AB06
, 4J004BA02
, 4J004CA03
, 4J004CA06
, 4J004CC03
, 4J004CC04
, 4J004CE01
, 4J004CE03
, 4J004DB03
, 4J004EA05
, 4J004FA04
, 4J004FA05
, 4J004FA08
, 4J040DF031
, 4J040EC001
, 4J040ED001
, 4J040EF001
, 4J040JA09
, 4J040JB02
, 4J040JB07
, 4J040JB09
, 4J040KA12
, 4J040KA13
, 4J040KA16
, 4J040LA06
, 4J040MA02
, 4J040MA04
, 4J040MA05
, 4J040MA10
, 4J040NA20
, 4J040PA20
, 4J040PA23
, 4J040PA42
引用特許:
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