特許

J-GLOBAL ID：201003031173699254

複数の波長の光を放出するように構成された半導体発光装置

発明者： キム ジェイムズ シー ,  イー スンスー
出願人/特許権者： フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー ,  コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (5件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-542379
公開番号（公開出願番号）：特表2010-514190
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

半導体発光装置のための成長技術及び装置構造を提供する。本発明の実施形態により、III族窒化物構造体は、マスク層(24)の開口部に対応する半導体材料の複数のポストを含む。各ポストは、発光層(28)を含む。各発光層は、n型領域(26)とp型領域(30)の間に配置される。第1のポストに配置された第1の発光層(28)は、第2のポストに配置された第2の発光層(28)とは異なる波長で発光するように構成される。一部の実施形態では、各発光層(28)によって放出された波長は、蛍光変換なしに白色光を放出する装置を形成することができるように、ポストの直径を制御することによって制御される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の開口部を有するマスク層24と、 各ポストが発光層28を含み、かつ複数のポストが絶縁材料25によって分離された、前記マスク層の前記開口部に対応する半導体材料の複数のポストを含むIII族窒化物構造体と、 を含み、 各発光層が、n型領域26とp型領域30の間に配置され、 第1のポストに配置された第1の発光層28が、第2のポストに配置された第2の発光層28とは異なる波長で光を放出するように構成される、 ことを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/08 ,  H01L 33/22

FI (3件)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 120 ,  H01L33/00 172

Fターム (6件)：

5F041AA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 細線を有する素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-256045   出願人：ソニー株式会社