半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-024683
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182854
出願日： 2009年02月05日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】窒化物半導体から成るヘテロ接合電界効果型トランジスタに於いて、バリア層上に2次元電子ガス濃度を減少させずに略50nm以上のキャップ層を形成するには、シリコンを1×1019cm-2程度の高濃度でドーピングする必要があるが、この様な高い濃度のシリコンを均一性良くドーピングするのは困難である。窒化物半導体では酸素及び窒素空孔の様なエピタキシャル成長中等に意図せずに混入するドナーがあるため、シリコンだけでドーピング濃度を制御することが難しい。【解決手段】キャップ層50内でヘテロ接合の形成により発生する分極の影響を受けるバリア層40側の領域に、キャップ層50を構成する窒化物半導体のバンドギャップ内の分極の効果によって決まるフェルミ・レベルよりも高いエネルギー位置に準位を形成する複数のドナーが、合計して2次元電子ガス濃度と同程度の濃度でドーピングされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体から成るヘテロ接合電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、少なくともゲート電極のドレイン電極側の側面に接するバリア層上に配設されており、前記バリア層を構成する第1窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有する第2窒化物半導体から成るキャップ層を備えており、前記キャップ層の内で、ヘテロ接合の形成により発生する分極の影響を受ける前記バリア層側の領域に、前記キャップ層を構成する前記第2窒化物半導体の前記バンドギャップ内の、前記分極の効果によって決まるフェルミ・レベルよりも高いエネルギー位置に準位を形成するドーパントがドーピングされており、前記ドーパントには、シリコンと、前記シリコン以外のドーパントとが含まれていることを特徴とする、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (28件)：

5F102FA00 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR11 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GT06 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21

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