特許
J-GLOBAL ID：201003031604463970
半導体装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-071335
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225833
出願日： 2009年03月24日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】高耐圧な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、第1の主面と第1の主面の反対側に設けられた第2の主面とを有する半導体層と、半導体層の第1の主面側に設けられた第1の主電極と、半導体層の第2の主面側に設けられた第2の主電極と、半導体層における第1の主電極と第2の主電極との間の縦方向に主電流が流れる素子領域よりも外側の終端領域の最外終端で第1の主面から第2の主面に達しない位置まで縦方向に延在して設けられ、第1の主電極と接続された第1の終端トレンチ構造部と、最外終端で第2の主面から第1の終端トレンチ構造部に達しない位置まで縦方向に延在して設けられ、第2の主電極と接続された第2の終端トレンチ構造部と、を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と前記第1の主面の反対側に設けられた第2の主面とを有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の主面側に設けられた第1の主電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられた第2の主電極と、
前記半導体層における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の縦方向に主電流が流れる素子領域よりも外側の終端領域の最外終端で前記第1の主面から前記第2の主面に達しない位置まで前記縦方向に延在して設けられ、前記第1の主電極と接続された第1の終端トレンチ構造部と、
前記最外終端で前記第2の主面から前記第1の終端トレンチ構造部に達しない位置まで前記縦方向に延在して設けられ、前記第2の主電極と接続された第2の終端トレンチ構造部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/861
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/06
H01L29/91 C
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 652H
