重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-045280
公開番号（公開出願番号）：特開2010-061097
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【解決手段】置換又は非置換のヒドロキシアルキルナフタレンを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。【効果】本発明によれば、上記高分子化合物と、酸発生剤とを添加したレジスト材料を用いて第1のパターンを形成後、熱あるいは酸と熱による架橋反応によってアルカリ現像液やレジスト溶液に不溶化させ、その上に更にレジスト溶液を塗布し、露光現像することにより、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

置換又は非置換のヒドロキシアルキルナフタレンを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/40 , G03F 7/039 , G03F 7/38 , G03F 7/004 , C08F 20/30 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/40 501 , G03F7/039 601 , G03F7/40 511 , G03F7/38 501 , G03F7/004 501 , C08F20/30 , H01L21/30 502R

Fターム (46件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA05 , 2H096JA02 , 2H096JA04 , 2H096KA18 , 4J100AB07R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BC26Q , 4J100BC49P , 4J100CA03 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-128938 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
感光剤組成物及びこれを利用したパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-278903 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-114084 出願人：信越化学工業株式会社

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