特許

J-GLOBAL ID：201003032165665088

シリコンナノシート、その製法及びリチウムイオン二次電池

発明者： 中居 葉子 ,  中野 秀之 ,  岡本 浩孝
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-232392
公開番号（公開出願番号）：特開2010-132640
出願日： 2009年10月06日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】層間距離が比較的広く製造が容易なシリコンナノシートを提供する。【解決手段】本発明のシリコンナノシートは、ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造を基本骨格とする。そして、六員環を構成するケイ素原子には、金属又は金属酸化物と結合可能な官能基を持つ炭化水素基を有するケイ素原子が酸素原子を介して結合したケイ素原子、水素原子と結合したケイ素原子及び水酸基と結合したケイ素原子が混在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造を基本骨格とするシリコンナノシートであって、 前記ケイ素原子には、金属又は金属酸化物と結合可能な官能基を持つ炭化水素基を有するケイ素原子が酸素原子を介して結合したケイ素原子、水素原子と結合したケイ素原子及び水酸基と結合したケイ素原子が混在している、 シリコンナノシート。

IPC (3件)：

C07F 7/21 ,  H01M 4/136 ,  H01M 4/58

FI (3件)：

C07F7/21 ,  H01M4/02 106 ,  H01M4/58 101

Fターム (16件)：

4H049VN01 ,  4H049VP09 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ75 ,  4H049VR11 ,  4H049VR21 ,  4H049VR41 ,  4H049VR43 ,  4H049VW02 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CB01 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA10 ,  5H050GA11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 非水系蓄電デバイス及びそれに用いられる電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-076842   出願人：株式会社豊田中央研究所
• シリコンナノシート、そのコロイド溶液、およびシリコンナノシートの製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-250643   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 第20回秋季シンポジウム 講演予稿集, 20070912, 385頁