特許
J-GLOBAL ID：201003032522406053

半導体発光素子、ランプ、照明装置、電子機器及び電極

発明者：
岡部 健彦

岡部 健彦 について

, 
舛谷 享祐

舛谷 享祐 について

, 
程田 高史

程田 高史 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-117771
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267797
出願日： 2009年05月14日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】密着性を高めた電極を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板101と、前記基板101上にn型半導体層104と発光層105とp型半導体層106とがこの順序で積層されてなる積層半導体層20と、p型半導体層106に接合された一方の電極111と、n型半導体層104に接合された他方の電極108と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極111または他方の電極108の一方または両方が、オーミックコンタクト層51と金属反射層52と第1の拡散防止層53と第1の密着層54とがこの順序に積層されてなる構造を有しており、かつ、第1の密着層54の外縁部が前記積層半導体層と接して張り出して形成され、第1の拡散防止層53を完全に覆っている半導体発光素子1を用いることにより、上記課題を解決できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上にn型半導体層と発光層とp型半導体層とがこの順序で積層されてなる積層半導体層と、前記p型半導体層に接合された一方の電極と、前記n型半導体層に接合された他方の電極と、を具備する半導体発光素子であって、 前記一方の電極または前記他方の電極の一方または両方が、オーミックコンタクト層と金属反射層と第1の拡散防止層と第1の密着層がこの順序に積層されてなる構造を有しており、かつ、前記第1の密着層の外縁部が前記積層半導体層と接して張り出して形成され、前記第1の拡散防止層を完全に覆っていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/42
FI (3件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 222
Fターム (17件)：
5F041AA34 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041DA09 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-323406   出願人：松下電器産業株式会社
  • GaN系LED素子および発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-057110   出願人：三菱化学株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-123263   出願人：日立電線株式会社
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