特許
J-GLOBAL ID：201003032934512052
薄膜素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-119165
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062527
出願日： 2009年05月15日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】犠牲層から剥離した面に残った残留物を除去するための工程を省略することのできる薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜素子の製造方法は、犠牲層12と薄膜14を順次に形成した第1基板11を形成し、支持構造物15を仮付けしてからレーザーを照射して犠牲層12を除去して第1基板11から薄膜14を分離し、次に接合物質層17が塗布された第2基板16上に薄膜14を接合して支持構造物15を薄膜14から分離することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1基板上に犠牲層を形成する段階と、
前記犠牲層上に被転写物である薄膜を形成する段階と、
前記薄膜上に支持構造物を仮付けする段階と、
前記第1基板から前記薄膜が分離するように前記犠牲層を除去する段階と、
前記支持構造物に仮付けされた前記薄膜を第2基板上に接合する段階と、
前記薄膜から前記支持構造物を分離する段階と
を含むことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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