特許
J-GLOBAL ID:201003033711040066
トップエミッション表示デバイスのLLTバリア層、その方法、及び装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 元彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-509372
公開番号(公開出願番号):特表2010-528422
出願日: 2008年05月21日
公開日(公表日): 2010年08月19日
要約:
少なくともトップエミッションデバイスの一部の上に低液相線温度(LLT)の無機材料を堆積して堆積された低液相線温度の無機材料を形成するステップと、実質的に酸素及び水分が無い雰囲気下において、堆積された低液相線温度の無機材料に任意の熱処理を施してLLTバリア層を形成するステップと、任意的にLLTバリア層を覆うようにカバーガラスを配置するステップと、を含むトップエミッション表示デバイスの酸素及び水分の浸透の抑制の方法が開示されている。また、基板と、少なくとも1つの有機電子層又は光電子層と、低液相線温度の無機バリア層と、LLTバリア層を覆う任意のカバーガラスと、を有し、有機電子層又は光電子層は、低液相線温度の無機バリア層と基板との間に気密封止されているトップエミッション表示デバイスも開示されている。
請求項(抜粋):
トップエミッション表示デバイスの酸素及び水分の抑制の方法であって、
基板の上に少なくとも1つの有機電子層又は光電子層が形成された前記基板を準備するステップと、
十分に酸素及び水分が無い環境下で、前記少なくとも1つの有機電子層又は光電子層の少なくとも一部を覆うように低液相線温度の無機材料を堆積し、前記表示デバイスを覆うように低液相線温度の無機バリア層(LLT無機バリア層)を形成するステップと、
前記LLT無機バリア層を覆うようにガラスカバーシートを配置するステップと、を有することを特徴とする方法。
IPC (5件):
H05B 33/10
, H05B 33/04
, H01L 51/50
, G09F 9/30
, H01L 27/32
FI (5件):
H05B33/10
, H05B33/04
, H05B33/14 A
, G09F9/30 309
, G09F9/30 365Z
Fターム (28件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC23
, 3K107DD03
, 3K107EE43
, 3K107EE46
, 3K107EE48
, 3K107EE55
, 3K107FF05
, 3K107FF06
, 3K107FF16
, 3K107GG28
, 3K107GG37
, 5C094AA10
, 5C094AA22
, 5C094AA37
, 5C094AA44
, 5C094AA53
, 5C094BA27
, 5C094DA07
, 5C094DA11
, 5C094ED01
, 5C094FA02
, 5C094FB01
, 5C094FB02
, 5C094FB20
, 5C094GB10
, 5C094JA20
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