特許

J-GLOBAL ID：201003033769294203

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

発明者： 瀬下 武広 ,  内海 義之 ,  小室 嘉崇 ,  三村 岳由 ,  高木 大地
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-122566
公開番号（公開出願番号）：特開2010-271501
出願日： 2009年05月20日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、且つ露光により酸を発生する基材成分を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分が、ヒドロキシスチレン単位と、側鎖にアセタール結合を有するヒドロキシスチレン単位と、露光により酸を発生する構成単位がアセタール結合を介して結合しているヒドロキシスチレン単位とを有する高分子化合物を含有するレジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、且つ、露光により酸を発生する基材成分(A’)を含有するレジスト組成物であって、 前記基材成分(A’)が、下記一般式(a5-1)で表される構成単位(a5-1)と、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)と、露光により酸を発生する構成単位(a0-2)とを有する高分子化合物(A1’)を含有し、 前記構成単位(a0-2)が、下記一般式(a0-2’)で表される基を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 212/08 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F212/08 ,  H01L21/30 502R

Fターム (33件)：

2H125AF15P ,  2H125AF33P ,  2H125AF36P ,  2H125AF45P ,  2H125AH05 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ48X ,  2H125AN02P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN63P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA28P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA57R ,  4J100BB07P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC49Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38