レジストパターンの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：中山亨 , 坂元徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-096732
公開番号（公開出願番号）：特開2010-271707
出願日： 2010年04月20日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】優れた形状を有するパターンを形成することができるレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】以下の(A)〜(D)の工程;(A)酸に不安定な基を有する樹脂と、光酸発生剤と、架橋剤とを含有する第1のレジスト組成物を用いて、基体上に第1のレジスト膜を形成し、第1のレジスト膜を露光した後、現像することによって、第1のレジストパターンを得る工程、(B)第1のレジストパターンを190〜250°Cの温度で、10〜60秒間加熱する工程、(C)第2のレジスト組成物を用いて、第1のレジストパターンが形成された基体上に第2のレジスト膜を形成し、第2のレジスト膜を露光する工程、並びに、(D)現像することによって、第2のレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターンの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

以下の(A)〜(D)の工程; (A)酸に不安定な基を有する樹脂と、光酸発生剤と、架橋剤とを含有する第1のレジスト組成物を用いて、基体上に第1のレジスト膜を形成し、第1のレジスト膜を露光した後、現像することによって、第1のレジストパターンを得る工程、 (B)第1のレジストパターンを190〜250°Cの温度で、10〜60秒間加熱する工程、 (C)第2のレジスト組成物を用いて、第1のレジストパターンが形成された基体上に第2のレジスト膜を形成し、第2のレジスト膜を露光する工程、並びに、 (D)現像することによって、第2のレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターンの製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 220/28

FI (7件)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R , H01L21/30 502C , C08F220/28

Fターム (51件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AJ14X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN63P , 2H125AN65P , 2H125BA02P , 2H125BA22P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125DA22 , 2H125FA18 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100BA03R , 4J100BA11S , 4J100BA11T , 4J100BA15S , 4J100BC04Q , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC09T , 4J100BC53S , 4J100BC53T , 4J100CA03 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA25 , 4J100JA38 , 5F046AA13

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