特許
J-GLOBAL ID：201003033910350082
配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218424
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056231
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。【解決手段】支持フィルム1上に金属箔11が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔2において、外周部に位置する支持フィルム1を枠状に除去して溝部4を形成する工程と、この金属箔2を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板3Pの主面3a上に、溝部4から露出する金属箔下面11aと支持基板3Pの主面3aとが対向するように載置し、これらを金属箔下面11aと主面3aとが密着するように加圧加熱して、支持基板3Pを熱硬化させる工程と、少なくとも溝部4の内側領域Bに位置する金属箔上面上11bに配線基板用の積層体を形成する工程と、内側領域Bに位置する前記積層体および支持基板を切断する工程と、前記積層体を支持フィルム1から分離する工程とを含むようにした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔において、外周部に位置する前記支持フィルムを枠状に除去して溝部を形成する工程と、
この支持フィルム付き金属箔を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む支持基板の主面上に、前記溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが対向するように載置する工程と、
これら支持フィルム付き金属箔と支持基板とを、前記溝部から露出する金属箔下面と支持基板の主面とが密着するように加圧加熱して、前記支持基板を熱硬化させる工程と、
ついで少なくとも前記溝部の内側領域に位置する金属箔上面上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と絶縁層と導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、
前記溝部の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を切断する工程と、
前記積層体を支持フィルムから分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5E346AA12
, 5E346AA26
, 5E346AA60
, 5E346CC04
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346DD25
, 5E346DD33
, 5E346DD47
, 5E346EE02
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346EE15
, 5E346FF15
, 5E346GG17
, 5E346GG28
, 5E346HH24
