特許

J-GLOBAL ID：201003034073106018

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法

発明者： 仁藤 豪人
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-098269
公開番号（公開出願番号）：特開2010-231161
出願日： 2009年04月14日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分(A)は、側鎖に、環骨格中に-SO2-を含む環式基含有エステル基を有する構成単位(a0-1)を有し、質量平均分子量(Mw)が10000以下の高分子化合物(A1-1)と、高分子化合物(A1-1)が有する構成単位と同一の構成単位(a0-1)を有し、Mwが、高分子化合物(A1-1)のMwの1.5倍以上である高分子化合物(A1-2)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)は、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)を有し、質量平均分子量が10,000以下の高分子化合物(A1-1)と、 前記高分子化合物(A1-1)が有する構成単位と同一の構成単位(a0-1)を有し、質量平均分子量が、前記高分子化合物(A1-1)の質量平均分子量の1.5倍以上である高分子化合物(A1-2)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/18 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/18 ,  H01L21/30 502R

Fターム (37件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA40Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC83Q ,  4J100BC84Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-282114   出願人：富士フイルム株式会社