特許

J-GLOBAL ID：201003034191405682

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置

発明者： 城後 新 ,  長坂 恵一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-060020
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212631
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。【解決手段】下地層11に自由磁化層12、非磁性層13、固定磁化層14、反強磁性層15および保護層16を積層した積層構造を有する磁気抵抗効果素子1において、自由磁化層12を固定磁化層14のうち少なくともいずれか1層をホイスラー合金で形成し、下地層、非磁性層13、保護層16のうち少なくとも1層をB2規則化構造の合金層で形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化が所定の方向に固定された固定磁化層と、外部磁界の影響を受けて磁化の方向が変わる自由磁化層とを含み、前記固定磁化層と前記自由磁化層との間に非磁性層を有する積層構造の磁気抵抗効果素子であって、 前記固定磁化層と前記自由磁化層のうち少なくとも1層がホイスラー合金であり、 前記積層構造の少なくともいずれか1層にB2規則化構造の合金層を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (7件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

Fターム (48件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034BA30 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049DB02 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB03 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC18 ,  5F092BE03 ,  5F092BE13