特許

J-GLOBAL ID：201003034311517285

薄膜電界効果型トランジスタ

発明者： 今井 真二
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-159841
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067954
出願日： 2009年07月06日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたTFTであって、駆動耐久性及び駆動安定性に優れたTFTを提供する。【解決手段】少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、活性層4、ソース電極5-1及びドレイン電極5-2を有し、前記活性層が少なくともIn及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、ゲート絶縁膜と活性層との間で少なくとも活性層と接するように積層されている第1界面層61を有し、該第1界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa又はAlを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、第1界面層とは反対側で活性層と接するように積層されている第2界面層62を有し、該第2界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa又はAlを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有する薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、 1)前記活性層が少なくともIn及びZnを含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、 2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間で少なくとも前記活性層と接するように積層されている第1界面層を有し、該第1界面層は前記活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa又はAlを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、 3)前記第1界面層とは反対側で前記活性層と接するように積層されている第2界面層を有し、該第2界面層は前記活性層のアモルファス酸化物半導体よりGa又はAlを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B

Fターム (64件)：

5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ12