特許
J-GLOBAL ID：201003034819337215
エラストマートランスデューザー
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-278475
公開番号（公開出願番号）：特開2010-110090
出願日： 2008年10月29日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】優れたトランスデューサー性能と耐久性を発揮できる新規なエラストマートランスデューサーを提供する。【解決手段】誘電性エラストマーの表裏面に、亜臨界状態または超臨界状態の二酸化炭素内で炭素系導電性フィラーを含浸させてなる電極層が形成されていることを特徴とするエラストマートランスデューサー。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電性エラストマーの表裏面に、亜臨界状態または超臨界状態の二酸化炭素内で炭素系導電性フィラーを含浸させてなる電極層が形成されていることを特徴とするエラストマートランスデューサー。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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