特許

J-GLOBAL ID：201003035251216171

R-T-B系永久磁石の製造方法

発明者： 西内 武司 ,  白井 泰治 ,  荒木 秀樹
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-022207
公開番号（公開出願番号）：特開2010-180426
出願日： 2009年02月03日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】HDDR処理による高い保磁力を有するR-T-B系永久磁石の製造方法を提供する。【解決手段】R-T-B相を有する合金粉末を用意し、水素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記合金粉末に対してHD処理を行った後、700°C〜1000°Cの温度でDR処理を行うにあたり、(1)水素含有量が、HD反応前の値の1%以下、(2)22Naを用いたγ-γ同時計測法における平均陽電子寿命値のDR反応時間に対する極大値をτmaxとしたとき、前記磁石における陽電子平均寿命値τMが、(τmax-τM)≦5ps、の条件を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水素化・不均化反応ならびに脱水素・再結合反応による、R-T-B系永久磁石(Rは希土類元素、TはFeを50原子%以上含む遷移金属)の製造方法であって、 R-T-B相を有する合金粉末を用意し、水素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記合金粉末に対して水素化・不均化処理を行った後、 前記合金粉末に対して、700°C〜1000°Cの温度で脱水素・再結合処理を行うにあたり、 (1)水素含有量が、脱水素反応ならびに再結合反応前の値の1%以下、 (2)22Naを用いたγ-γ同時計測法における平均陽電子寿命値の脱水素-再結合反応時間に対する極大値をτmaxとしたとき、前記磁石における陽電子平均寿命値τMが、(τmax-τM)≦5ps、 の条件を満たす、R-T-B系永久磁石の製造方法。

IPC (5件)：

B22F 1/00 ,  H01F 1/053 ,  H01F 41/02 ,  C22C 38/00 ,  H01F 1/08

FI (5件)：

B22F1/00 Y ,  H01F1/04 H ,  H01F41/02 G ,  C22C38/00 303D ,  H01F1/08 A

Fターム (27件)：

4K017AA04 ,  4K017BB06 ,  4K017BB12 ,  4K017BB18 ,  4K017CA07 ,  4K017DA04 ,  4K017EA03 ,  4K018AA27 ,  4K018BA18 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC10 ,  4K018CA11 ,  4K018CA29 ,  4K018CA31 ,  4K018DA31 ,  4K018FA23 ,  4K018FA25 ,  4K018KA45 ,  4K018KA46 ,  5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB11 ,  5E040HB15 ,  5E040NN01 ,  5E062CD04 ,  5E062CG03