特許
J-GLOBAL ID:201003035272714821

ワイヤグリッド偏光子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-102553
公開番号(公開出願番号):特開2010-277077
出願日: 2010年04月27日
公開日(公表日): 2010年12月09日
要約:
【課題】格子線による反射が低減されたワイヤグリッド偏光子であって、従来よりも単純な構造を有するワイヤグリッド偏光子を提供する。【解決手段】このワイヤグリッド偏光子は、基板上に格子線となる多数の金属の線を、光の波長より短い間隔で平行に配置されてなるワイヤグリッド偏光子であって、格子線の表面に、金属の窒化物、金属の砒化物、金属のリン化合物および金属とアンチモンの化合物からなる群から選ばれる1種以上の半導体化合物からなる層が積層されてなることを特徴とする。【選択図】図4
請求項(抜粋):
基板上に格子線となる多数の金属の線を、光の波長より短い間隔で平行に配置されてなるワイヤグリッド偏光子であって、格子線の表面に、金属の窒化物、金属の砒化物、金属のリン化合物、及び、金属とアンチモンの化合物からなる群から選ばれる1種以上の半導体化合物からなる層が積層されてなることを特徴とするワイヤグリッド偏光子。
IPC (2件):
G02B 5/30 ,  G02F 1/133
FI (2件):
G02B5/30 ,  G02F1/1335 510
Fターム (13件):
2H149AA01 ,  2H149AA17 ,  2H149AA21 ,  2H149AB01 ,  2H149BA04 ,  2H149BA23 ,  2H149BB28 ,  2H149FA41W ,  2H149FD04 ,  2H149FD47 ,  2H191FA28X ,  2H191FA28Z ,  2H191FB14

前のページに戻る