特許
J-GLOBAL ID：201003035432885725
高分子多孔質エレクトレットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-119791
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267906
出願日： 2009年05月18日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】 導電層形成時の圧電性能の低下を防ぎ、導電層形成後に電荷注入を行う際の表面劣化を防いだ高い圧電性能を示す多孔質エレクトレットの製造方法。【解決手段】 対象物の表面と裏面に導電層を形成した後、電荷注入することを特徴とする高分子多孔質エレクトレットの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
対象物の表面と裏面に導電層を形成した後、電荷注入することを特徴とする高分子多孔質エレクトレットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L41/22 Z
, H01L41/18 102
