特許
J-GLOBAL ID：201003035841251673
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
寺山 啓進
, 伊藤 市太郎
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-192717
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034162
出願日： 2008年07月25日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】実質的に真性の非晶質系半導体層への不純物の混入、及び太陽電池の生産性の低下を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、HIT構造の形成工程において、n型単結晶シリコンウェハ21は、i型非晶質シリコン層28によって覆われた第1基板トレー50の第1載置面50A上に載置される。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
一導電型を有する結晶系半導体基板を基板トレーの一載置面上に載置する工程と、
前記結晶系半導体基板が載置された前記一載置面上に、CVD法によって、実質的に真性の非晶質系半導体層を形成する工程と、
前記結晶系半導体基板が載置された前記一載置面上に、CVD法によって、他導電型を有する非晶質系半導体層を形成する工程と
を備え、
前記結晶系半導体基板を前記一載置面上に載置する工程において、
前記一載置面は、実質的に真性の非晶質系半導体層によって覆われている
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 V
, H01L31/04 S
5F051AA05
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051DA15
, 5F051GA04
出願人引用 (2件)
-
光起電力装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-327345
出願人：三洋電機株式会社
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触媒CVD装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-146648
出願人：株式会社アルバック
審査官引用 (3件)
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