特許

J-GLOBAL ID：201003036126938501

シリコンウェーハの結晶欠陥評価方法

発明者： 佐伯 成司
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (2件)： 森 道雄 ,  松永 英幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-128823
公開番号（公開出願番号）：特開2010-275147
出願日： 2009年05月28日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】選択エッチングによりOSFのエッチピットのみを検出し、OSFを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 【解決手段】シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、続いて、選択エッチングを行い、OSFを判別する。フッ酸と硝酸の混酸を用い、エッチング量(除去厚さ)を1μm以上とすることが望ましい。ウェット酸素雰囲気下での熱処理工程の終了後に、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去するため酸化膜除去洗浄を行ってもよい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

OSF評価を行うシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法であって、 シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、 前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、 続いて、選択エッチングを行い、 OSFを判別することを特徴とするシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/66 ,  C30B 33/10

FI (3件)：

C30B29/06 B ,  H01L21/66 N ,  C30B33/10

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077FG05 ,  4G077FG06 ,  4G077FG17 ,  4G077GA01 ,  4G077GA05 ,  4G077HA12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DH55