特許

J-GLOBAL ID：201003036230820881

半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器

発明者： 小野 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-227758
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062399
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】構造的に安定でありながらもチャネル部におけるキャリア移動度が確保された特性の良好なボトムコンタクト・トップゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板11の表面側に埋め込まれたソース電極13sおよびドレイン電極13dと、ソース電極13sおよびドレイン電極13dとこれらの間の基板11とに接する状態で基板11上に設けられた半導体層15と、半導体層15上に設けられたゲート絶縁膜17と、ソース電極13s-ドレイン電極13d間における半導体層15上にゲート絶縁膜17を介して設けられたゲート電極19とを備えた半導体装置1である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面側に埋め込まれたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極およびドレイン電極とこれらの間の前記基板とに接する状態で当該基板上に設けられた半導体層と、 前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ソース電極-ドレイン電極間における前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた 半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  G02F 1/136

FI (8件)：

H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 390 ,  H01L27/12 B ,  G02F1/1368

Fターム (39件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092KA09 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA21 ,  2H092PA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16