半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-063998
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219269
出願日： 2009年03月17日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】c面からなる主面106を有し、主面に凹部110aが設けられたサファイア基板105と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層110と、第1バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層190と、を備えた半導体素子が提供される。第1バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞110aを有し、第1バッファ層は、第1領域110eと、第1領域とサファイア基板との間に設けられ第1領域よりも炭素濃度が高い第2領域110fと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

c面からなる主面を有し、前記主面に凹部が設けられたサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面の上に設けられ、結晶性のAlNからなる第1バッファ層と、前記第1バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層と、を備え、前記第1バッファ層は、前記サファイア基板の前記凹部の上に設けられた空洞を有し、前記第1バッファ層は、第1領域と、前記第1領域と前記サファイア基板との間に設けられ前記第1領域よりも炭素濃度が高い第2領域と、を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/32 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , C30B 25/18

FI (5件)：

H01L33/00 186 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 D , C30B25/18

Fターム (65件)：

4G077AA03 , 4G077AB04 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC06 , 4G077TC14 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA65 , 5F041CB36 , 5F041DA09 , 5F041DA43 , 5F041DA58 , 5F041DA78 , 5F041DB09 , 5F041EE25 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (8件)

特許第3648386号
付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-315629 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-035253 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人山口大学

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