特許
J-GLOBAL ID:201003036722623607

電気光学装置及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 江上 達夫 ,  中村 聡延
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-035148
公開番号(公開出願番号):特開2010-191163
出願日: 2009年02月18日
公開日(公表日): 2010年09月02日
要約:
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い開口率を実現しつつ、TFTにおける光リーク電流の発生の低減を図る。【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、走査線(11)及びデータ線(6)と、非開口領域に配置された半導体層(30a)及び走査線に接続されたゲート電極(30b)を含むトランジスタ(30)と、半導体層より上層側に配置された第1導電層(9)とを備える。ドレイン領域(30a5)及び第1導電層は、交差領域内で、少なくとも部分的に互いに重なる部分にて、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール(33)を介して接続されている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
基板上に、 互いに交差するように配置された走査線及びデータ線と、 (i)画素の開口領域を区画する非開口領域に配置され、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有する半導体層、並びに(ii)前記走査線に電気的に接続されたゲート電極を有するトランジスタと、 前記半導体層より絶縁膜を介して上層側に配置された第1導電層と を備え、 前記ドレイン領域及び前記第1導電層は、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域のうち前記交差に対応する交差領域内で、少なくとも部分的に互いに重なる部分にて、前記絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (2件):
G09F 9/30 ,  G02F 1/136
FI (2件):
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368
Fターム (26件):
2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092KA18 ,  2H092MA27 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA22 ,  5C094AA10 ,  5C094AA16 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094BA64 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12

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