特許

J-GLOBAL ID：201003037270040060

半導体装置と半導体装置の製造方法

発明者： 金 元 住 ,  李 太 熙 ,  朴 允 童 ,  崔 相 武 ,  車 大 吉
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-210874
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067986
出願日： 2009年09月11日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】複数層の半導体装置を製造する工程数を単層の半導体装置を製造する工程ステップ数と同一にする半導体装置と半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、同じ方向に延び、所定間隔をおいて平行に配される第1アクティブ領域と、第1アクティブ領域が配されるレイヤより上位レイヤに配され、第1アクティブ領域の伸張方向と同じ方向に延び、所定間隔をおいて平行に配される第2アクティブ領域と、を備え、第1アクティブ領域と第2アクティブ領域の各々は、第1又は第2アクティブ領域の両側エッジに沿って各々形成される第1及び第2不純物ドーピング領域を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同じ方向に延び、所定間隔をおいて平行に配される第1アクティブ領域と、 前記第1アクティブ領域が配されるレイヤより上位レイヤに配され、前記第1アクティブ領域の伸張方向と同じ方向に延び、所定間隔をおいて平行に配される第2アクティブ領域と、を備え、 前記第1アクティブ領域と前記第2アクティブ領域の各々は、 前記第1又は第2アクティブ領域の両側エッジに沿って各々形成される第1及び第2不純物ドーピング領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (1件)：

H01L27/10 321

Fターム (9件)：

5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD69 ,  5F083GA10 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR37