特許

J-GLOBAL ID：201003037742309786

SOI基板とその製造方法、固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-062397
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114409
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】SOI基板の単結晶シリコン層の表面側から侵入した金属不純物のような汚染物質をSOI基板の支持基板側にゲッタリングし易くすることを可能にする。【解決手段】シリコン基板11と、前記シリコン基板11上に形成された酸化シリコン層12と、前記酸化シリコン層12上に形成されたシリコン層13と、前記シリコン基板11中に形成されたゲッター層14と、前記酸化シリコン層12に形成された不純物注入領域からなるダメージ層15を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成された酸化シリコン層と、 前記酸化シリコン層上に形成されたシリコン層と、 前記シリコン基板中に形成されたゲッター層と、 前記酸化シリコン層に形成された不純物注入領域からなるダメージ層を備えた SOI基板。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (7件)：

H01L27/12 B ,  H01L27/14 A ,  H01L21/322 R ,  H01L27/12 E ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 J ,  H01L21/265 Y

Fターム (17件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM12 ,  5F152MM19 ,  5F152NN14 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03