特許
J-GLOBAL ID：201003037799362411
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-098953
公開番号（公開出願番号）：特開2010-074131
出願日： 2009年04月15日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】電流非注入領域を有するリッジストライプ上に形成される電極の接触抵抗を低減し、且つ電流-光出力特性に生じる不連続な跳びを抑制すると共に、高出力動作を行えるようにする。【解決手段】半導体発光素子は、基板1上に少なくともn型クラッド層2、活性層4、p型クラッド層6及びp型コンタクト層8が順次積層され、p型クラッド層及びp型コンタクト層からなるリッジ部6aを有している。p型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜10と、該誘電体膜から露出したp型コンタクト層の上面及び側面と接触するP電極9とが形成されている。誘電体膜は、リッジ部の端部を覆うことにより、活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域30を有し、誘電体膜の電流非注入領域はp型コンタクト層と接して形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層及び第2導電型のコンタクト層が順次積層され、前記第2クラッド層及びコンタクト層がストライプ状に形成されたリッジ部を有する半導体積層体と、
前記第2クラッド層の上に前記リッジ部を覆うように設けられ、前記リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜と、
前記リッジ部の上部に設けられ、前記誘電体膜から露出した前記コンタクト層の上面及び側面と接触する第1の電極とを備え、
前記誘電体膜は、前記リッジ部における共振器端面側の端部の少なくとも一方を覆うことにより、前記活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域を有し、
前記誘電体膜における前記電流非注入領域は、前記コンタクト層と接して形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F173AA08
, 5F173AB62
, 5F173AB64
, 5F173AB73
, 5F173AH22
, 5F173AK21
, 5F173AL13
, 5F173AL21
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP71
, 5F173AR13
, 5F173AR14
, 5F173AR63
, 5F173AR68
