特許

J-GLOBAL ID：201003038577044108

基板の製造方法および基板

発明者： 八郷 昭広 ,  松本 直樹 ,  佐藤 史隆 ,  前田 洋子
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-042799
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199316
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】結晶性の良好な窒化物系化合物半導体を備える基板を形成する。【解決手段】窒化物系化合物半導体バルク基板1の一方の主表面から一定の深さの領域における結晶の成長状態の分布を検出し、その検出結果に基づいて、窒化物系化合物半導体バルク基板1があらかじめ決められた基準を満たすか否かを判別する。上記基準を満たすと判別された窒化物系化合物半導体バルク基板1の一方の主表面に対してイオン注入を行ない、下地基板10の一方の主表面と接合した上で、イオン注入により形成される脆弱領域において分割することにより、窒化物系化合物半導体薄膜1dを備える基板100を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体基板である第1の基板の一方の主表面から一定の深さの領域における結晶の成長状態の分布を検出する工程と、 前記結晶の成長状態の分布を検出する工程における検出結果に基づいて、前記第1の基板があらかじめ決められた基準を満たすか否かを判別する工程と、 前記判別する工程において前記基準を満たすと判別された前記第1の基板の一方の主表面からイオン注入を行なう工程と、 イオン注入された前記第1の基板の一方の主表面を、第2の基板の一方の主表面と接合する工程と、 前記第2の基板と接合された前記第1の基板を前記イオン注入を行なう工程において形成される脆弱領域において分割する工程とを備える、基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L33/00 140 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/66 N

Fターム (20件)：

4M106AA01 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA71 ,  5F152LM09 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17