特許
J-GLOBAL ID:201003038724040989
光電変換素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-072940
公開番号(公開出願番号):特開2010-225478
出願日: 2009年03月24日
公開日(公表日): 2010年10月07日
要約:
【課題】 変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 光電変換素子は、導電性支持体と、光電変換層4と、電解質層5と、対向電極3とをこの順で積層してなり、光電変換層が、半導体粒子41と、この半導体粒子に付着した金属微粒子44と、さらにこれらの半導体粒子及び金属微粒子のまわりに付着した増感色素43とを備えている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性支持体と、光電変換層と、電解質層と、対向電極とをこの順で積層してなる光電変換素子において、
前記光電変換層が、半導体粒子と、この半導体粒子に付着した金属微粒子と、さらにこれらの半導体粒子及び金属微粒子のまわりに付着した増感色素とを備えていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (16件):
5F051AA14
, 5F051FA03
, 5F051GA03
, 5F151AA14
, 5F151FA03
, 5F151GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE16
, 5H032HH04
引用特許: