特許

J-GLOBAL ID：201003038727118440

シリコン系ナノ粒子の製造方法

発明者： 片岡 朋治 ,  村井 盾哉 ,  木太 拓志 ,  山岸 忠明 ,  佐藤 亮子 ,  生越 友樹 ,  中本 義章
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人金沢大学
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-123415
公開番号（公開出願番号）：特開2010-269972
出願日： 2009年05月21日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】同一工程を多数回繰り返す必要のない簡単な方法によって均一で粒径の大きいシリコンナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】カリックスアレーンを含む溶媒中でSi塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてSiの水素化物を形成させる工程、さらに当該溶媒中で前記Siの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むSiナノ粒子の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

カリックスアレーンを含む溶媒中でSi塩を出発原料としてシリコンナノ粒子を合成させる工程、 次いで、当該溶媒中で前記シリコンナノ粒子の表面を水素化させてSiの水素化物を形成させる工程、 さらに当該溶媒中で前記Siの水素化物と表面修飾化合物とを反応させる工程を含むSiナノ粒子の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/021 ,  B82B 3/00

FI (2件)：

C01B33/021 ,  B82B3/00

Fターム (16件)：

4G072AA01 ,  4G072AA05 ,  4G072BB05 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH08 ,  4G072JJ25 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM21 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR04 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02